Новый подход может стать основой для производства квантовых чипов с высоким уровнем интеграции, надежности и повторяемости параметров.
Фото: Михаил ФРОЛОВ. Перейти в Фотобанк КП
Исследователи Казанского федерального университета (КФУ) разрабатывают инновационный метод создания масштабируемых квантовых устройств на основе карбида кремния. Этот подход может стать основой для производства квантовых чипов с высоким уровнем интеграции, надежности и повторяемости параметров. Об этом сообщает ТАСС со ссылкой на пресс-службу Министерства науки и высшего образования России.
Научный сотрудник молодежной научно-исследовательской лаборатории (НИЛ) Фадис Мурзаханов отметил, что карбид кремния является высокотехнологичным промышленным полупроводником, для которого уже освоено выращивание восьмидюймовых 200-миллиметровых подложек. В отличие от алмаза, который доступен только в виде мелких кристаллов, карбид кремния обладает значительным потенциалом для массового производства квантовых чипов.
Участница исследования Юлия Ермакова добавила, что оптические переходы в кристаллах карбида кремния происходят в ближней инфракрасной области. Это делает их перспективными для использования в квантовых коммуникациях на большие расстояния, что открывает новые возможности для развития технологий.
Эксперименты подтвердили эффективность нового подхода, что позволяет надеяться на скорое внедрение квантовых чипов на основе карбида кремния в различные отрасли промышленности.
Напомним, в столице Татарстана заработала новая цифровая платформа «Моя Казань». В ней, в том числе, собрана информация по отключению воды и благоустройству дворов.
Следите за актуальными новостями Татарстана, Марий Эл и Чувашии в наших сообществах в Одноклассниках и ВКонтакте, а также подписывайтесь на каналы «КП-Казань» в Дзен и Telegram